收藏本站
DMP2035UVT
25
V GS = 8.0V
20
V GS = 4.5V
V DS = -5.0V
20
15
V GS = 3.5V
V GS = 3.2V
V GS = 3.0V
V GS = 2.0V
15
10
V GS = 2.5V
10
5
T A = 150 ° C
5
V GS = 1.5V
T A = 125 ° C
T A = 85 ° C
T A = 25 ° C
0
0
1
2 3 4
5
0
0
T A = -55 ° C
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
3.0
0.07
-V DS , DRAIN -SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
0.05
-V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
V GS = -4.5V
0.06
0.04
T A = 150 ° C
0.05
0.04
0.03
T A = 125 ° C
T A = 85°C
T A = 25 ° C
0.03
0.02
T A = -55 ° C
0.02
0.1
1
10
100
0.01
0
4 8 12 16
20
1.7
1.5
1.3
-I D , DRAIN SOURCE CURRENT
Fig. 3 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.06
0.05
-I D , DRAIN SOURCE CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Temperature
V GS = -2. 5V
1.1
0.04
0.03
I D = -5 A
0.9
0.7
0.02
V GS = -4.5V
I D = -10 A
0.5
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
0.01
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMP2035UVT
Document number: DS35190 Rev. 5 - 2
3 of 6
www.diodes.com
March 2012
? Diodes Incorporated
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
DMP2039UFDE-7 MOSF P CH 25V 6.7A U-DFN2020-6E
DMP2039UFDE4-7 MOSF P CH 25V 7.3A X2-DFN2020-6
DMP2066LDM-7 MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26
DMP2066LSD-13 MOSFET P-CH DUAL 20V 5.8A 8-SOIC
DMP2066LSN-7 MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3
DMP2066LSS-13 MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SOIC
DMP2066UFDE-7 MOSF P CH 20V 6.2A U-DFN2020-6E
DMP2069UFY4-7 MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN
相关代理商/技术参数
DMP2039UFDE 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMP2039UFDE4 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:25V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMP2039UFDE4-7 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 X2-DFN2020-6 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP2039UFDE-7 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 U-DFN2020-6 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP2066LDM 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMP2066LDM-7 功能描述:MOSFET P-channel 1.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMP2066LSD 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMP2066LSD-13 功能描述:MOSFET 2xP-Channel 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube